Heric后极逆变该如何选择替代的IGBT？可用FHA75T65A型号参数

单相组串式逆变器里面会有Heric后极逆变是需要使用IGBT单管的，目前我们看到单相组串式逆变器正朝采用多层次拓扑结构的逆变器发展方向。我们可以如何选择优质的IGBT单管协助Heric后极逆变电路的优化呢？

在Heric后极逆变电路中，之前经常会使用FGH75N65SHDT的IGBT单管。随着时代的变迁，国产化的功率器件正在登上世界的舞台。那么在国产中有哪一款IGBT可以代换FGH75N65SHDT应用于Heric后极逆变中？

如果想提升Heric后极逆变中的电路效率以及功率密度等能力，飞虹建议可以使用FHA75T65A的IGBT单管来替换FGH75N65SHDT型号。

为何要选择FHA75T65A这款国产化IGBT单管用于Heric后极逆变中呢？

且听飞虹电子针对的Heric后极逆变产品分享，如果有其他需求的，可直接咨询飞虹电子的官方网站mosgcj.com。

因为FHA75T65A的IGBT单管拥有高可靠性以及反向并行的快恢复二极管特性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、关断损耗低、出色的Vcesat饱和压降）、拥有正温度系数。

从上述特点可知，这一款75A、650V电流、电压的FHA75T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在Heric后极逆变的电路上。

在应用中值得逆变器研发工程师注意的是，这款优质FHA75T65A国产IGBT单管的详细参数：其具有75A, 650V, VCEsat典型值：1.75V-typ ，＜2.0V；ID (Tc=100℃)：75A；BVdss：650V；IF（A）(Tc=25℃)：150A；IF（A）(Tc=100℃)：75A。

FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。

FHA75T65A出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助。

目前FHA75T65A型号IGBT单管已经广泛适用于Heric后极逆变、高频车载正玄波AC220V逆变器、户外储能电源、电焊机等各类软硬开关和PFC电路。可替代其它品牌型号：FGH75N65SHDT。

FHA75T65A的封装形式是TO-247。这款产品参数：Vcesat-typ (@Ic=75A)：1.75V；IC（A）：75A；Bvces（V）：650V；Vge（±V）：30；。

时代的变迁让单相组串式逆变器的使用越发普及，同样也让FHA75T65A型号的IGBT单管登上世界的功率管舞台。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。

直接百度输入“飞虹半导体厂家”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。