通信电源MOS管选择，FHL385N1F1A场效应管常用于通信电源电路

在8月29日华为新款手机Mate 60 Pro悄然上线开售，意味着国产化半导体领域往顶尖实力再往上攀登了一重。这离不开国产半导体厂商的技术不断迭代的攀登精神，更离不开各大电子厂商、消费者对国产化产品品质的认可。

其实在非常多的领域产品，国产已经丝毫不输国外的产品，比如在通信电源的领域，FHL385N1F1A场效应管已经可替代IPT020N10N5型号参数来应用。

这款国产化的MOS管产品历经非常多国产电子厂商的稳定使用，所以飞虹半导体建议如果想要提升自家通信电源的质量以及性价比，那MOS管代换IPT020N10N5参数型号可用FHL385N1F1A场效应管。

为何？因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点：

1、低导通内阻：支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
2、100% EAS测试
3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
4、100% Rg测试
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。

从上述特点可知，这一款工业级的300A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在通信电源的电路。

当然，在应用中，我们电源研发工程师一定要了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数：其具有300A、100V的电流、电压，  RDS(on) = 2.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有小体积、低寄生电感、低封装内阻、低热阻等特点。

这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：300A；BVdss（V）：100V。

反向传输电容：328pF、静态导通电阻（typ）：1.6mΩ、最大脉冲漏极电流（IDM ）：1200（A）。

回归上述问题，国产化的半导体之路必然是提升产品性价比的未来，核心在于寻求优质的FHL385N1F1A场效应管代换IPT020N10N5参数型号用于通信电源的电路。

100V、300A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于通信电源中，还可用于新能源电动车、音响功放、UPS等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。