基于H6桥的单相光伏逆变器IGBT替代型号，FHA60T65A代换FGH60N60SMD

对于H6桥拓扑的单相光伏逆变器是选择IGBT还是MOSFET的功率开关管呢？

对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。

但由于目前IGBT市场的变化以及产品产能的稳定性问题，对于厂家都在考虑如何选择能代换FGH60N60SMD的型号参数的IGBT单管来应用呢？在国内有有比较好的IGBT能替代该型号参数的吗？

以上问题对于任何一家基于H6桥的单相光伏逆变器厂家而言都是重要的。今天飞虹电子就来回答对于基于H6桥的单相光伏逆变器，要使用什么IGBT型才能适配电路这一问题。

对于基于H6桥的单相光伏逆变器，我们推荐使用飞虹电子的FHA60T65A。毕竟FHA60T65A是可以代换FGH60N60SMD等IGBT的产品型号参数。

为什么？因为FHA60T65A拥有反向并行的快恢复二极管特性、高可靠性，Trench Field Stop  technology（拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低）、拥有正温度系数。

在特点中可知，这一款60A、650V电流、电压的FHA60T65A型号IGBT单管参数是很适合使用在基于H6桥的单相光伏逆变器的电路上。

目前在应用中，我们基于H6桥的单相光伏逆变器研发工程师一定要了解优质FHA60T65A国产型号的详细参数：其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

FHA60T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。

目前FHA60T65A型号IGBT单管已经广泛适用于基于H6桥的单相光伏逆变器、高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代其它品牌型号：FGH60N60SMD。

FHA60T65A的封装形式是TO-247，其具有60A, 650V, VCEsat典型值：1.75V，＜2.0V；IC (Tc=100℃)：60A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：60A；IF (Tc=100℃)：30A。

因此对于选取单相光伏逆变器所需功率开关管(IGBT 或MOSFET) ，由于高频开关管的开关频率为20KHZ。所以为减少损耗、提高整机效率，应选取EON/EOFF较小的开关管，同时驱动电路也应相应优化，减少开关损耗。

基于H6桥的单相光伏逆变器已经广泛应用于光伏逆变器中。因此对于基于H6桥的单相光伏逆变器如何在元器件上面提升产品质量，除选用FGH60N60SMD型号外，还可以用飞虹半导体的国产型号：FHA60T65A型号参数来替代。

飞虹半导体主要经营IGBT、MOS管、场效应管、三极管等半导体器件。目前已取得美国GE、阳光照明、纽福克斯、雷士照明、易事特、茂硕、金莱特、华艺、佛山索尔等优质客户的认可与应用。致力为国内及全球电子厂商提供优质的配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT产品。

直接百度输入“飞虹IGBT厂家”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。