同步整流MOSFET的选择，FHL385N1F1A场效应管更提升整流效率

同步整流MOSFET作为一种高效的整流器件，在电源适配器、直流稳压电源、电动汽车充电桩等场景均有应用。其对比二极管整流电路是更稳定、高效以及可控的。

既然同步整流MOSFET能够实现高效率的整流，提供稳定的直流输出。那选择一款优质可替代IPT020N10N5型号参数的国产化mos管应该是非常重要的。

既然效率这么好，在国内能有什么优质MOS管使用呢？除市场中的IPT020N10N5参数型号，我们还是选择飞虹半导体的FHL385N1F1A型号场效应管。

为何？因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点：

1、低导通内阻：支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
2、100% EAS测试
3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
4、100% Rg测试
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。

通过上述描述可知，这一款工业级的300A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在同步整流电路中。

当然在同步整流的应用中，我们电力工程师一定要了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数：其具有300A、100V的电流、电压， RDS(on) = 2.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有低封装内阻、小体积、低热阻、低寄生电感等特点。

FHL385N1F1A的具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：300A；BVdss（V）：100V。

静态导通电阻（typ）：1.6mΩ、最大脉冲漏极电流（IDM ）：1200（A）、反向传输电容：328pF。

如果您在考虑将传统的二极管整流电路调整成同步整流MOSFET形态的电路，又想在国产化优先考虑的话，建议可以选择优质的FHL385N1F1A场效应管代换IPT020N10N5参数型号用于同步整流电路。

100V、300A 的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于同步整流电路中，还可用于新能源电动车、音响功放、UPS等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。