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为开关电源提效降损的SGT MOSFET,优选FHL385N1F1A场效应管
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天空宇宙
Lv.4
发表于 2024-8-5 17:42:07
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发自广东广州
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如何帮助高频电源开关达成提效降损的作用目的呢?核心在于选用对的SGT MOSFET。因为SGT MOSFET在高频开关电源中的作用主要是提高效率、降低功率损耗、改善热管理、提升高频性能和优化EMI表现,从而使整个电源系统性能更佳,体积更小,更具竞争力。
目前常见会使用的SGT MOSFET型号会有IPT015N10N5,而在国内可以推荐一款更优可代换的产品是FHL385N1F1A场效应管!
为何对FHL385N1F1A型号场效应管在高频开关电源中使用能给予认可呢?除了其正是385A、100V参数的mos管外,还因其具备优秀的产品特点:
1、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。
2、100% EAS测试,使产品可靠性有数据参考
3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)
4、100% Rg测试,验证产品的稳定性
5、低导通内阻:使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
当然除了产品具备的优良特点外,FHL385N1F1A能替代IPT015N10N5低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:
1、最大脉冲漏记电流(IDM ):1540A
2、反向传输电容:940pF
3、 RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V
4、N沟道增强型场效应晶体管
5、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;
6、ID(A):385A;BVdss(V):100V
7、静态导通电阻(typ):1.3mΩ
8、FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形(具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点)
由此可见,高频开关电源想要达成提效降损是可以直接选用FHL385N1F1A型号场效应管,其参数可见详细产品规格书。FHL385N1F1A型号MOS管,是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产。
因其达工业级mos管特点,所以更广泛使用在高频开关电源、电动摩托车72V蓄电池电机控制、电动四轮观光车、PD电源、同步整流、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景;mos管品牌替代型号:IPT015N10N5。
达成提效降损的目的,在100V、385A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域:如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业。
为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。
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